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반도체 제조 및 고급 웨이퍼 레벨 패키징 분야의 선도적 장비 공급업체인 ACM 리서치(ACM Research, Inc.)는 실리콘카바이드(SiC) 질화갈륨(GaN) 및 갈륨비소(GaAs)를 지원할 수 있는 화합물 반도체용 웨비퍼 레벨 패키징 제품인 ‘Ultra ECP GIII 전기도금 장비’를 출시했다고 14일 밝혔다.
이 웨이퍼 레벨 패키징 장비는 후면 딥 홀(Backside deep hole) 공정에서 개선된 균일성과 단차피복성(Step coverage)으로 금(Au)을 도금할 수 있다. 또한 6인치 플랫 에지(flat edge) 및 노치 웨이퍼(notch wafer)의 대용량 처리를 지원하는 완전 자동화 플랫폼을 갖췄으며, ACM에서 보유 중인 ‘2차 양극(second anode) 공급 장치 기술’과 ‘고속 그리드 기술(Paddle technology)’을 결합해 최고의 성능을 달성한다.
ACM 리서치의 데이비드 왕(David Wang) CEO는 “전기 자동차, 5G 통신, RF 및 AI 애플리케이션에 대한 강력한 수요로 화합물 반도체 시장이 급성장하고 있는데 반해, 현재 화합물 반도체 제조 공정의 자동화 수준은 제한적이며 대부분의 전기도금 공정은 균일성이 불량한 수직 전기도금 장비를 사용해 생산량도 제한을 받고 있다”고 지적하며 “이번에 새로 개발한 Ultra ECP GIII 전기도금 장비는 이런 문제들을 극복하면서 화합물 반도체 용량과 고급 성능에 대한 점증하는 요구 사항을 충족한다”고 설명했다.
ACM의 Ultra ECP GIII 장비는 2차 양극 공급 장치와 고속 그리드 기술의 두 가지 핵심 기술을 활용하는데, 2차 양극 공급 장치는 전기장(Electrical field) 분포 차이로 인해 발생하는 문제를 극복하기 위해 웨이퍼 레벨 패키징 기능을 효과적으로 조정함으로써 우수한 균일도 제어 능력을 제공한다. 또한 이 기술은 웨이퍼 에지 영역과 노치 영역의 패턴을 최적화하고, 3% 이내의 도금 균일도를 달성하는 데 활용할 수 있다.
ACM의 고속 그리드 기술은 더욱 강력한 믹싱(Mixing) 효과를 얻을 수 있으며, 대량 전송 능력을 향상시켜 딥 홀 공정에서 단차피복성을 개선시킬 수 있다. 또한, 개선된 단차피복성은 금(Au) 필름의 두께를 감소 시켜 고객의 비용을 줄일 수 있다.
ACM의 Ultra ECP GIII는 중국 화합물 반도체 제조업체로부터 2건의 수주를 받았다. 1차 주문 장비는 2차 양극 기술을 활용해 구리-니켈-주석-은으로 구성된 도금 모듈을 웨이퍼 레벨 패키징에 적용한 후 진공 습식 전처리 챔버(Vacuum pre-wet chamber)와 세정 후 챔버(post clean chamber)에 일체화했으며 고객사에 납품했다. 2차 주문 장비는 금(Au) 도금을 위한 장비로서 9월 말에 고객에게 최종적으로 공급될 예정이다.
ACM 리서치(ACM Research, Inc.) 개요
ACM은 싱글 웨이퍼 또는 배치 습식 세정을 위한 반도체 공정 장비를 개발, 제조 및 판매하고 있으며, 전기 도금, 무응력 광택 및 열 공정 등은 첨단 반도체 소자 제조 및 웨이퍼 레벨 패키징에 매우 중요한 공정이다. 회사는 반도체 제조업체들이 생산성과 제품 수율을 향상시키기 위해 수많은 제조 단계에서 사용할 수 있는 고성능의 비용 효율적인 맞춤형 공정 솔루션을 제공하기 위해 노력하고 있다. 자세한 정보는 홈페이지를 참조하면 된다. ACM 로고는 ACM Research, Inc.의 상표다. 편의를 위해 이런 상표는 본 발표에 ™ 기호 없이 나타나지만, 그러한 관행으로 인해 ACM이 해당 상표에 대한 권리를 완전히 주장하지 않는 것은 아니다.
언론연락처: ACM 리서치 코리아 홍보대행 페리엔 박윤희 실장 02-565-6625
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